第二十八卷 第六期 - 2015年二月十三日 PDF
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成大研發快訊 2015年二月十三日 ~ 二月二十五日

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CuSe/In2Se3與Cu2Se/In2Se3二元前驅粉體合成CIS動力學與反應機制研究
向性一

近十年來,I-III-VI黃銅礦結構薄膜太陽能電池均朝向往高轉換效率及低成本發展,CIS是其中最重要之吸光層材料之一,真空製程製備 CIS 吸收層具有高製作成本極難以量化,因此,利用溼式製程(如旋轉塗佈或刮刀塗佈法)製作 CIGS 吸光層,具有易控制組成及製作成本低等優點,已成為大家共同發展之目標。 …

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運用量子點接觸進行全電性之自旋注入與偵測
陳則銘

隨著半導體莫爾定律將進入尾聲,下一世代的電晶體的發展有很大的一部分著重要自旋電子學的開發與研究。其主要原因為,自旋電晶體理論上將比現今的電晶體在速度、效能、及省電等因素上都大幅提升。而要實現自旋電子,發展出全電性而不需運用鐵磁性材料或外加磁場的自旋注入、自旋操控、以及自旋偵測,將是能否成功的重要關鍵 …

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促發炎細胞激素抑制雞卵蛋白上游驅動子轉錄因子II對子宮內膜異位症之影響
蔡少正

子宮內膜異位症是一種好發於正常生殖年齡女性的婦科疾病,並且常常導致腹痛以及不孕症的發生。目前治療子宮內膜異位症最廣泛的方法是利用手術的方式將其去除,但是有百分之五十的病人會在術後五年間有復發的情形。為了更有效的根治子宮內膜異位症,我們實驗室致力於研究其主要的分子致病機轉,並找尋開發新穎的治療試劑與策略。 …

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利用有機金屬化學氣相沉積選擇性成長氮化鎵以有效降低錯位密度
張守進

氮化鎵(GaN)和氮化三族金屬合金因為廣泛的可調能帶,使得這些材料對綠光轉紫外線發光二極體、雷射二極體和高功率高效能電晶體元件有高度的應用價值。 因為缺乏本質GaN的基板,導致GaN在矽、藍寶石或碳化矽基板成長形成的異質結構為一基礎又關鍵的技術挑戰。然而由於約17%的晶格不匹配,造成在被定義圖形前的 …

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