第二十三卷 第三期 - 2013年一月二十五日 PDF
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成大研發快訊 2013年一月二十五日 ~ 二月七日

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Sr2FeMoO6之燒結密度,晶相合成以及微結構觀察中製程因素所扮演之顯著關鍵參數
方滄澤

具有雙鈣鈦結構的Sr2FeMoO6因為在接近室溫時仍然保有相當高的低場磁阻值 (LFMR:Low-field magnetoresistance),近年來吸引很多國外研究學者的目光,推論其主要可能的機制應該是晶界上自旋電子傳輸所造成。根據第一原理計算Sr2FeMoO6的能帶結構顯示其自旋電子為完全極化的狀態,所以Sr2FeMoO6是一種具有接近420K高居理溫度的半金屬鐵磁性材料。Sr2FeMoO6具有相當多高潛力的應用,例如非揮發磁性隨機存取記憶體, …

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應用基因遺傳演算法之產品造形設計模式
蕭世文

在競爭激烈的市場中,業者必須不斷地設計新的產品,以滿足客戶需求,維持市場的競爭力。在產品研發策略上,常利用多樣性的產品外形或色彩組合以迎合不同消費者的需求,並縮短產品生產所需時間,進而提升產品的市場競爭力。
本研究運用基因遺傳演算法及感性工學理論分析產品造型樣式,將消費者抽象的心理感受轉化成產品 …

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藉由紫外線-臭氧曝照、掺雜型發光層,以及電洞阻隔層來提升上發光式有機發光二極體之效率
許渭州

在本文中我們提出用於提升使用銀(Ag)陽極之上發光式有機發光二極體(Top-emission Organic Light-emitting Diode, TOLED)效率之方式。如圖一所示,藉由紫外線-臭氧(UV-ozone)曝照之處理,銀電極之功函數(work function)可以有效地被提升。由於氧化銀(AgOx)之游離能大約為5.3 eV,所以銀電極功函數之提升可以推測為銀電極之表面已形成一很薄之氧化銀薄膜。藉由紫外線-臭氧之曝照處理,雖然可以提升銀電極之功函數,但電極之導電率和反射率也同時會衰減,因此需要找出理想之曝照時間。 …

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具良好歐姆接觸氧化銦錫層之磷化鋁銦鎵系發光二極體
劉文超

傳統利用低溫金屬有機氣相沉積法(LP-MOCVD)成長之四元磷化鋁銦鎵系材料,具有直接能隙值1.99至2.25 電子伏特(eV),適合用於高量子效率光電元件之製造,例如發光二極體。吾人可藉由調控能隙值得到由黃綠色至紅色波段的發光波長。近年來由於磊晶(epitaxy)成長技術之精進, 磷化鋁銦鎵系發光二極體之內部量子效率(internal quantum efficiency)已接近100 %。但是,因內部四元材料與外部空氣間存在相當大的反射系數(reflective index)差異,其外部量子效率(external quantum efficiency)仍然較低。 …

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