劉文超
傳統利用低溫金屬有機氣相沉積法(LP-MOCVD)成長之四元磷化鋁銦鎵系材料,具有直接能隙值1.99至2.25 電子伏特(eV),適合用於高量子效率光電元件之製造,例如發光二極體。吾人可藉由調控能隙值得到由黃綠色至紅色波段的發光波長。近年來由於磊晶(epitaxy)成長技術之精進, 磷化鋁銦鎵系發光二極體之內部量子效率(internal quantum efficiency)已接近100 %。但是,因內部四元材料與外部空氣間存在相當大的反射系數(reflective index)差異,其外部量子效率(external quantum efficiency)仍然較低。 …